晶体生长与设计 SCISCIE

期刊简介预计审稿时间：约2.3个月

The aim of Crystal Growth & Design is to stimulate crossfertilization of knowledge among scientists and engineers working in the fields of crystal growth, crystal engineering, and the industrial application of crystalline materials.

Crystal Growth & Design publishes theoretical and experimental studies of the physical, chemical, and biological phenomena and processes related to the design, growth, and application of crystalline materials. Synergistic approaches originating from different disciplines and technologies and integrating the fields of crystal growth, crystal engineering, intermolecular interactions, and industrial application are encouraged.

晶体生长与设计的目的是促进在晶体生长、晶体工程和晶体材料工业应用领域工作的科学家和工程师之间的知识交流。

Crystal Growth & Design 发表与晶体材料的设计、生长和应用相关的物理、化学和生物现象和过程的理论和实验研究。鼓励采用源自不同学科和技术，整合晶体生长、晶体工程、分子间相互作用和工业应用等领域的协同方法。

《Crystal Growth & Design》(晶体生长与设计)编辑部通讯方式为AMER CHEMICAL SOC, 1155 16TH ST, NW, WASHINGTON, USA, DC, 20036。如果您需要协助投稿或润稿服务，您可以咨询我们的客服老师。我们专注于期刊投稿服务十年，熟悉发表政策，可为您提供一对一投稿指导，避免您在投稿时频繁碰壁，节省您的宝贵时间，有效提升发表机率，确保SCI检索（检索不了全额退款）。我们视信誉为生命，多方面确保文章安全保密，在任何情况下都不会泄露您的个人信息或稿件内容。